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逐季调涨20%!存储巨头NAND芯片涨至明年 远超业内预期

发布日期:2024-02-18 15:38    点击次数:62

  存储巨头再一次加大涨价力度。

  据台湾经济日报援引半导体业内多位消息人士消息称,三星本季度将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后,已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%,此举远超业界预期。

  值得注意的是,信达证券此前援引行业消息称,近日三星向客户公布Q4官价,MobileDRAM合约价环比涨幅预估将扩大至11%-25%;NAND Flash方面,UFS4.0涨幅约2%左右,eMCP、uMCP涨幅不等,平均涨幅20%以上,最高涨幅高达66%。

  为何三星有底气强势涨价?减产或许是原因之一。在10月31日的财报会议上,三星执行副总裁Kim Jae-joon直言,“三星接下来的减产行动,将比目前DRAM缩减产出的规模更大。”

  业内人士指出,目前NAND芯片市场转趋热络,客户陆续回笼。三星作为全球存储芯片龙头,其领头调涨价格,将有助整体市场报价正向发展。

  与此同时,多家存储厂商也已给出颇为乐观的预期。

  例如群联指出,过去6-9个月OEM客户调整库存已近尾声,公司已获得更多设计导入(design-in)的订单。

  存储模组厂威刚则表示,随着大厂大幅减产效益浮现,看好存储价格从今年四季度到明年上半年一路上涨,明年起更会进入为期二年的存储多头格局,未来二年市场供给将吃紧并出现缺货状况。

  TrendForce此前指出,NAND芯片价格自8月起涨,看好在供应商议价态度转趋强硬情况下,四季度企业级固态硬盘合约价格可望上涨约5%-10%;用户端固态硬盘方面,随着供应商议价能力提高,高低阶用户端固态硬盘产品可望同步上涨,预计四季度合约价将扬升8%至13%。

  此外,其认为存储器整体涨势有望延续,预计明年一季度Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)合约价仍将续涨,涨幅则视后续原厂是否维持保守的投产策略,以及终端是否有实质买气支撑而定。

  随着主要厂商控产持续进行,以及原厂、终端与渠道库存去化,叠加终端市场需求复苏,国金证券11月1日报告指出,存储芯片有望在今年四季度开始价格反弹,开启新一轮上涨周期。而作为存储芯片的生产者,以及存储市场最为重要的环节,存储芯片厂商有望最为受益。



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